VMO1200-01F详细
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
VMO1200-01F参数
包装:托盘,系列:HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1245A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.35 毫欧 @ 932A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 64mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2520nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:-,安装类型:底座安装,封装/外壳:Y3-Li,供应商器件封装:Y3-Li
